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삼성전자가 현행 28nm 공정에서 내년 상반기 최첨단 14nm 3D 핀펫(FinFET) 프로세스를 채용한 엑시노스 6(Exynos 6, 가칭) 생산으로 바로 넘어간다고 디지털데일리가 보도하였습니다.


삼성전자 부품(DS) 총괄 시스템LSI 사업부는 올 연말 14nm 칩의 엔지니어링샘플의 출하를 앞두고 있으며, 계획중이던 20nm 공정의 상용화를 백지화시켰다고 합니다. 또한 14nm FinFET 프로세스를 채용한 64비트 AP인 엑시노스 6를 내년 상반기에 출시할 예정이라고 보도하였습니다.


또한 이 AP는 갤럭시 S4의 후속인 갤럭시 S5에 채용할 것으로 ARM Coretex A53, A57의 big.LITTLE 구조로 개발되고, 저전력 고성능의 제품이 될 것으로 예상되고 있습니다.




삼성은 올 여름 big.LITTELE을 지원하는 엑시노스 5410의 발열 및 불완전한 옥타코어 구동등으로 스마트폰용 AP 시장에서 퀄컴, 애플, 미디어텍에 이어 점유율 4위에 머물렀으며, 이를 만회하기 위해 14nm 3D FinFET 프로세스의 도입을 서두르는 것으로 보입니다.



출처 : 디지털데일리外




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