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퀄컴이 2017년 상반기중 출시할 차세대 모바일 프로세서인 스냅드래곤 830(MSM8998)의 일부 스펙이 유출되었습니다.




스냅드래곤 830(MSM8998)은 14nm 공정을 사용한 스냅드래곤 820(MSM8996)과는 달리 10nm 공정으로 제조되어 발열 및 전력소모가 감소될 것으로 예상되고 있으며, 스냅드래곤 820가 자체 커스텀된 Kyro 100 코어로 구성된 쿼드코어 프로세서인 것과 달리 Kyro 200 코어로 구성된 옥타코어 프로세서(big.LITTLE 듀얼 클러스터 구조)가 될 것으로 알려졌습니다.


또한, 스냅드래곤 830은 스냅드래곤 820의 2.2Ghz 클럭보다 향상된 2.8Ghz로 향상된 프로세싱 능력외에도 아드레노 540 GPU 및 최대 8GB RAM(LPDDR4X) 및 LTE Advanced Pro라 불리는 LTE Cat.16의 X16 LTE 모뎀을 탑재할 것으로 알려졌습니다.



출처 : MyDrivers






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퀄컴이 올해 하반기 ~ 내년 상반기중 순차적으로 출시할 스냅드래곤 823(MSM8996 Pro), 스냅드래곤 828(MSM8997), 스냅드래곤 830(MSM8998)의 주요 스펙이 중국을 통해 유출되었습니다.




스냅드래곤 820과 마찬가지로 퀄컴이 독자적으로 커스텀한 Kryo 코어을 사용하는 823, 828, 830 프로세서중 갤럭시노트6에 탑재되어 올 2 ~ 3분기경 공개될 스냅드래곤 823은 기존의 820에서 클럭이 향상된 모델로 동일한 big.LITTLE 클러스터로 구성된 것이 특징입니다.

* 스냅드래곤 823은 스냅드래곤 820의 2.2Ghz CPU / 624Mhz GPU보다 클럭이 향상된 2.6Ghz CPU / 720Mhz GPU로 성능이 개선될 것으로 예상되고 있습니다.


그리고, 스냅드래곤 828은 Kryo 200 코어를 사용한 제품으로 LPDDR4X RAM을 지원하며, 스냅드래곤 808과 같이 830의 하위 모델로 출시되는 제품이며, 삼성 10nm FinFET 공정으로 제조될 것으로 알려졌습니다.


그외에도, 스냅드래곤 828은 아드레노 519와 LTE Cat. 12/13을 지원하는 X12모뎀을 탑재하였으며 주로 하이 미드레인지급 스마트폰에 사용될 것으로 예상됩니다.


또한, 퀄컴의 플래그쉽 프로세서가 될 스냅드래곤 830은 스냅드래곤 828과 같은 Kyro 200 코어를 사용하며, 아드레노 540 GPU 및 최대 8GB RAM(LPDDR4X) 및 LTE Advanced Pro라 불리는 LTE Cat.16의 X16 LTE 모뎀을 탑재할 것으로 알려졌습니다.



출처 : GizmoChina






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Fudzilla는 신뢰할 수 있는 소식통을 인용해 퀄컴이 연말 10nm FinFET 공정으로 제조된 스냅드래곤 830을 발표할 예정이라고 전했습니다.




현재 출시되는 플래그쉽 스마트폰에 탑재된 스냅드래곤 820의 후속 모델인 스냅드래곤 830은 동일한 Kyro 코어를 사용하며, 향상된 클럭과 최대 8GB RAM 및 LTE Advanced Pro라 불리는 LTE Cat.16의 X16 LTE 모뎀을 탑재할 것으로 알려졌습니다.


또한, 올해말 공식 발표후 첫 출시 제품은 2017년 1분기에 선보이며, 갤럭시 S8 및 LG G6, 미6등에 탑재될 것으로 알려졌습니다.


그외에도 퀄컴은 올 하반기 스냅드래곤 820의 개선모델인 스냅드래곤 823(MSM8996Pro)를 선보일 예정이며, 이 제품은 동일 14nm FinFET 공정으로 제조되지만, 스냅드래곤의 2.2Ghz CPU / 624Mhz GPU보다 클럭이 향상된 2.6Ghz CPU / 720Mhz GPU로 성능이 개선될 것으로 예상되고 있습니다.



출처 : Ggoku, Fudzilla





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