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퀄컴은 갤럭시 S8등 2017년 상반기 출시될 플래그쉽 스마트폰을 위한 프로세서 '스냅드래곤 835(MSM8993)'을 공식 발표하였습니다.




현재 출시되고 있는 스냅드래곤 820 / 스냅드래곤 821의 후속인 스냅드래곤 835는 삼성의 10nm 공정으로 제조되어 14nm 공정의 스냅드래곤 82x 시리즈에 비해 30% 더 작은 크기에 전력 효율은 40% 향상되었으며, 27% 향상된 성능을 보여줄 것으로 기대되고 있습니다.


또한, 스냅드래곤 835는 퀄컴의 고속 충전기술인 '퀵차지 4.0(Quick Charge 4.0)'을 최초로 탑재하고 있으며, 최적 전압을 찾아주는 INOV(지능형 최적 전압관리) 기술을 활용해 배터리셀의 효율성과 발열 부분을 최소화시켜 충전량에 따라 3.6V ~ 20V까지 0.2V 단위로 유동적으로 전압을 조절할 수 있습니다.


특히, 퀵차지 4.0은 5분 충전만으로 최대 5시간 사용 가능하며, 현재 사용되고 있는 퀵차지 3.0보다 20% 빠르고, 30% 효율적입니다.


* 퀵차지 4.0은 픽셀 / 픽셀 XL에 도입된 USB PD(Power Delivery)을 포함한 USB Type-C 프로토콜을 완벽히 지원합니다.




* 현재 코어수 및 GPU에 대한 정보는 공개되지 않았지만 여러차례 루머를 통해 스냅드래곤 820 / 821의 Kyro 100의 개선 모델인 Kyro 200이 사용한 옥타코어 프로세서(big.LITTLE 듀얼 클러스터 구조)로 추정되고 있으며, 아드레노 540 GPU 및 최대 8GB RAM(LPDDR4X) 및 LTE Advanced Pro라 불리는 LTE Cat.16의 X16 LTE 모뎀을 탑재할 것으로 알려졌습니다.



출처 : PhoneArena, MyDrivers外




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IHS의 Kevin Wang을 통해 퀄컴이 2017년 상반기중 출시할 차세대 모바일 프로세서인 스냅드래곤 830(MSM8998)의 일부 스펙이 유출되었습니다.




유출된 정보에 따르면, 스냅드래곤 830(MSM8998)은 14nm 공정을 사용한 스냅드래곤 820(MSM8996) / 스냅드래곤 821(MSM8996 Pro)과는 달리 10nm 공정으로 제조되어 발열 및 전력소모가 감소될 것으로 예상되고 있으며, 스냅드래곤 820가 자체 커스텀된 Kyro 100 코어로 구성된 쿼드코어 프로세서인 것처럼 이를 향상시킨 Kyro 200 코어로 구성된 옥타코어 프로세서(big.LITTLE 듀얼 클러스터 구조)가 될 것으로 알려졌습니다.


또한, 스냅드래곤 830은 스냅드래곤 820의 2.2Ghz 클럭보다 향상된 2.8Ghz로 향상된 프로세싱 능력외에도 아드레노 540 GPU 및 최대 8GB RAM(LPDDR4X) 및 LTE Advanced Pro라 불리는 LTE Cat.16의 X16 LTE 모뎀을 탑재할 것으로 예상되며, 올해말까지 대량 생산되어 내년 2월에 발표될 삼성 갤럭시 S8에 탑재될 것으로 알려졌습니다.


* 스냅드래곤 830의 최종 모델명은 스냅드래곤 835가 될 것으로 추정되고 있으며, 830이라는 넘버를 건너뛰는 이유에 대해서는 알려지지 않았습니다.



출처 : MyDrivers外






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