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삼성은 2월 20일 발표할 갤럭시 S10 시리즈에 사용할 1TB eUFS 2.1(embedded Universal Flash Storage) 메모리를 공개하였습니다.
이달부터 양산에 들어간 1TB eUFS 2.1 메모리는 5세대 512Gb V낸드를 16단 적층하고 고성능 컨트롤러를 탑재해 기존 제품과 동일한 크기에서 2배 많은 용량을 구현한 것이 특징입니다.
특히, 임의 읽기·쓰기 속도는 기존 512GB eUFS 보다도 최대 38% 빠른 58,000·50,000 IOPS를 구현했으며, SATA SSD 대비 연속 읽기 속도는 약 2배 빠른 초당 1000메가바이트(MB/s)를 보여주고 있습니다.
* 1TB eUFS 2.1의 칩 크기는 동일하며 11.5 x 13mm이며, 갤럭시 S10 5G 모델에 채용될 것으로 예상되고 있습니다.
출처 : 삼성
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