삼성 - 14nm FinFET 프로세스를 채용한 '엑시노스 6'를 내년 상반기에 투입??

삼성전자가 현행 28nm 공정에서 내년 상반기 최첨단 14nm 3D 핀펫(FinFET) 프로세스를 채용한 엑시노스 6(Exynos 6, 가칭) 생산으로 바로 넘어간다고 디지털데일리가 보도하였습니다.

삼성전자 부품(DS) 총괄 시스템LSI 사업부는 올 연말 14nm 칩의 엔지니어링샘플의 출하를 앞두고 있으며, 계획중이던 20nm 공정의 상용화를 백지화시켰다고 합니다. 또한 14nm FinFET 프로세스를 채용한 64비트 AP인 엑시노스 6를 내년 상반기에 출시할 예정이라고 보도하였습니다.

또한 이 AP는 갤럭시 S4의 후속인 갤럭시 S5에 채용할 것으로 ARM Coretex A53, A57의 big.LITTLE 구조로 개발되고, 저전력 고성능의 제품이 될 것으로 예상되고 있습니다.

삼성은 올 여름 big.LITTELE을 지원하는 엑시노스 5410의 발열 및 불완전한 옥타코어 구동등으로 스마트폰용 AP 시장에서 퀄컴, 애플, 미디어텍에 이어 점유율 4위에 머물렀으며, 이를 만회하기 위해 14nm 3D FinFET 프로세스의 도입을 서두르는 것으로 보입니다.

출처 : 디지털데일리外