삼성 - 3세대 14nm FinFET LPC(Low-Power Compact) 공정 개발

삼성이 현재 스냅드래곤 820 및 엑시노스 8890에 적용한 2세대 14nm FinFET LPP(Low-Power Plus)보다 더욱 뛰어난 3세대 14nm FinFET LPC(Low-Power Compact) 공정 개발을 곧 완료할 예정입니다.

3세대 14nm 공정은 1세대에서 2세대로 전환시 15% 이상 높은 속도와 15% 정도의 소비 전력을 개선한 것 처럼 소비전력과 생산비용을 낮춘 것이 특징이며, 연내 이 공정을 파트너사들도 활용할 수 있을 것으로 알려졌습니다.

삼성은 14nm LPC공정에서 웨이퍼 가공 과정에 쓰이는 마스크 숫자를 줄임으로써 생산 비용을 줄였으며, 이미 시험가동에 돌입하고 수십만장 규모 웨이퍼를 출해 마이크로프로세서 및 로직, RF 공정을 지원하고 있는 것으로 확인되어 갤럭시노트6에 탑재될 엑시노스 8890 개선판등에 활용될 수 있을 것으로 보입니다.

또한, 14nm 공정은 28nm 공정과 마찬가지로 삼성이 향후 10nm 및 7nm 공정으로 완전히 이전되기 전까지 가격대비 효율성을 앞세워 오랫동안 활용할 수 있으며, 기존의 FF+보다 비용효율 및 전력소모를 줄인 TSMC의 16nm FinFET Compact 공정과 경쟁할 것으로 예상됩니다.

출처 : SamMobile, 전자신문