퀄컴 - 10nm 공정의 '스냅드래곤 835(MSM8993)' 공식 발표

퀄컴은 갤럭시 S8등 2017년 상반기 출시될 플래그쉽 스마트폰을 위한 프로세서 '스냅드래곤 835(MSM8993)'을 공식 발표하였습니다.

현재 출시되고 있는 스냅드래곤 820 / 스냅드래곤 821의 후속인 스냅드래곤 835는 삼성의 10nm 공정으로 제조되어 14nm 공정의 스냅드래곤 82x 시리즈에 비해 30% 더 작은 크기에 전력 효율은 40% 향상되었으며, 27% 향상된 성능을 보여줄 것으로 기대되고 있습니다.

또한, 스냅드래곤 835는 퀄컴의 고속 충전기술인 '퀵차지 4.0(Quick Charge 4.0)'을 최초로 탑재하고 있으며, 최적 전압을 찾아주는 INOV(지능형 최적 전압관리) 기술을 활용해 배터리셀의 효율성과 발열 부분을 최소화시켜 충전량에 따라 3.6V ~ 20V까지 0.2V 단위로 유동적으로 전압을 조절할 수 있습니다.

특히, 퀵차지 4.0은 5분 충전만으로 최대 5시간 사용 가능하며, 현재 사용되고 있는 퀵차지 3.0보다 20% 빠르고, 30% 효율적입니다.

* 퀵차지 4.0은 픽셀 / 픽셀 XL에 도입된 USB PD(Power Delivery)을 포함한 USB Type-C 프로토콜을 완벽히 지원합니다.

* 현재 코어수 및 GPU에 대한 정보는 공개되지 않았지만 여러차례 루머를 통해 스냅드래곤 820 / 821의 Kyro 100의 개선 모델인 Kyro 200이 사용한 옥타코어 프로세서(big.LITTLE 듀얼 클러스터 구조)로 추정되고 있으며, 아드레노 540 GPU 및 최대 8GB RAM(LPDDR4X) 및 LTE Advanced Pro라 불리는 LTE Cat.16의 X16 LTE 모뎀을 탑재할 것으로 알려졌습니다.

출처 : PhoneArena, MyDrivers外