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삼성의 차세대 플래그쉽 스마트폰 '갤럭시 S8'이 그동안 루머로 알려진 6GB RAM보다 많은 8GB RAM을 탑재할 것이라는 정보가 i氷宇宙 웨이보를 통해 유출되었습니다.
그에 따르면, 갤럭시 S8은 현재 삼성이 중화권을 타겟으로 한 특화 모델에 탑재한 6GB 보다 더 많은 10nm 공정의 8GB RAM과 UFS 2.1 스토리지를 탑재할 것이라고 밝혔으며, 이로 인해 전력소모는 줄어들고 처리 속도는 더욱 빨라질 것으로 예상되고 있습니다.
또한, 갤럭시 S8에 탑재될 10nm 공정의 메모리는 최근 양산을 시작한 15*15*1mm 크기의 LPDDR4 메모리를 사용할 것으로 예상되며, 4266Mb/s의 속도로 읽기 및 쓰기 속도를 보여줄 것으로 알려졌습니다.
이외에도, 갤럭시S8은 칩셋과 UFS 스토리지 디바이스 사이에 인라인 암호기술이 사용되어 데이터보안이 강화된 UFS 2.1 스토리지를 채택하며, 이전의 최대 128GB 보다 두배 많은 256GB 용량의 저장 공간을 제공할 것으로 추정되고 있습니다.
출처 : GSMArena
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