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퀄컴이 1월 5일 라스베가스에서 열리는 CES2017을 통해 공식 발표할 차세대 모바일 프로세서 '스냅드래곤 835(MSM8998)'의 세부 스펙이 담금 프리젠테이션이 유출되었습니다.




삼성 갤럭시 S8, 샤오미 미6등에 탑재될 스냅드래곤 835는 스냅드래곤 820/821에 사용된 Kyro 코어를 개선한 10nm FinFET 공정의 Kyro 280을 사용한 옥타코어이며, 2.45GHz Kryo280 쿼드코어 + 1.9GHz Kryo280 쿼드코어 구조의 듀얼 클러스터(big.LITTLE)로 구성되어 있습니다.


스냅드래곤 820의 15.6mm * 15mm POP보다 34% 작아진 12.7mm * 12mm POP으로 스냅드래곤 801 대비 전력효율 50% 향상, 스냅드래곤 820 대비 GPU 성능이 25% 향상된 것이 특징입니다.


또한, 아드레노 540 GPU(670Mhz)와 LTE Category 16을 지원하는 멀티모드 LTE 모뎀인 스냅드래곤 X16 모뎀이 탑재되었습니다.


* 이외에도 스냅드래곤 835는 UHD(4K : 3840 * 2160)에서 60fps 지원, 저전력인 LPDDR4x 메모리를 지원하고 있으며, 슬라이드 내용중 2세대 FinFET이라고 하여 LPP공정으로 추정되고 있습니다.



출처 : http://videocardz.com/65139/qualcomm-snapdragon-835




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