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최근 스냅드래곤 835를 2017년 1분기에 출시한다고 밝힌 퀄컴이 또 다른 하이엔드 프로세서인 스냅드래곤 830을 2017년 하반기에 출시 계획중이라는 정보가 중국을 통해 유출되었습니다.




스냅드래곤 835의 하위 프로세서인 스냅드래곤 830은 835와 동일한 10nm FinFET 공정과 Kyro 200 코어를 사용하고 있으며, 아드레노 519 GPU, LTE Cat.12를 지원하는 스냅드래곤 X12 모뎀이 탑재될 것으로 알려졌습니다.


이는 스냅드래곤 835의 아드레노 540 GPU / LTE Cat.16을 지원하는 스냅드래곤 X16보다 다운그레이드 된 것으로 이전의 스냅드래곤 810과 스냅드래곤 808 처럼 825가 플래그쉽 / 830이 하이엔드급을 위한 프로세서가 될 것으로 추정되고 있습니다.


* 2017년에는 스냅드래곤 835(플래그쉽) > 스냅드래곤 830(하이엔드) > 스냅드래곤 660(미드레인지) 순으로 출시될 예정입니다.



출처 : WCCFTech






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퀄컴이 2017년 상반기중 출시할 차세대 모바일 프로세서인 스냅드래곤 830(MSM8998)이 인도의 항공물류업체 Zauba 데이터베이스에 포착되었습니다.




스냅드래곤 830은 데이터베이스에 기재된 내역을 통해 UFS 2.0 스토리지와 LPDDR4대비 고클럭 및 저전력을 구현한 LPDDR4X 메모리를 지원하는 것이 확인되었습니다.


이외에도 스냅드래곤 830은 유출된 정보를 통해 10nm 공정으로 제조되어 발열 및 전력소모가 감소될 것으로 예상되고 있으며, 자체 커스텀된 Kyro 200 코어로 구성된 옥타코어 프로세서(big.LITTLE 듀얼 클러스터 구조 및 최대 클럭 2.8Ghz)가 될 것으로 알려졌습니다.


또한, 아드레노 540 GPU 및 최대 8GB RAM(LPDDR4X) 및 LTE Advanced Pro라 불리는 LTE Cat.16의 X16 LTE 모뎀을 탑재할 것으로 예상되며, 올해말까지 대량 생산되어 내년 2월에 발표될 삼성 갤럭시 S8에 탑재될 것으로 알려졌습니다.



출처 : Zauba




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IHS의 Kevin Wang을 통해 퀄컴이 2017년 상반기중 출시할 차세대 모바일 프로세서인 스냅드래곤 830(MSM8998)의 일부 스펙이 유출되었습니다.




유출된 정보에 따르면, 스냅드래곤 830(MSM8998)은 14nm 공정을 사용한 스냅드래곤 820(MSM8996) / 스냅드래곤 821(MSM8996 Pro)과는 달리 10nm 공정으로 제조되어 발열 및 전력소모가 감소될 것으로 예상되고 있으며, 스냅드래곤 820가 자체 커스텀된 Kyro 100 코어로 구성된 쿼드코어 프로세서인 것처럼 이를 향상시킨 Kyro 200 코어로 구성된 옥타코어 프로세서(big.LITTLE 듀얼 클러스터 구조)가 될 것으로 알려졌습니다.


또한, 스냅드래곤 830은 스냅드래곤 820의 2.2Ghz 클럭보다 향상된 2.8Ghz로 향상된 프로세싱 능력외에도 아드레노 540 GPU 및 최대 8GB RAM(LPDDR4X) 및 LTE Advanced Pro라 불리는 LTE Cat.16의 X16 LTE 모뎀을 탑재할 것으로 예상되며, 올해말까지 대량 생산되어 내년 2월에 발표될 삼성 갤럭시 S8에 탑재될 것으로 알려졌습니다.


* 스냅드래곤 830의 최종 모델명은 스냅드래곤 835가 될 것으로 추정되고 있으며, 830이라는 넘버를 건너뛰는 이유에 대해서는 알려지지 않았습니다.



출처 : MyDrivers外






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