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삼성이 8월 26일 뉴욕에서 열리는 프레스 이벤트를 통해 발표할 것으로 예상되는 프리미엄급 패블릿 ‘갤럭시 노트8(코드네임 : Gr3at)’의 주요 스펙이 유출되었습니다.




유출된 스펙에 따르면, 갤럭시노트8은 6.3인치 QHD+ Super AMOLED(18.5:9 비율의 인피니트 디스플레이)를 탑재하며, 14nm 공정으로 제조된 스냅드래곤 835 또는 엑시노스 8895 옥타코어 프로세서(지역에 따라 차별), 6GB RAM, 3300mAh 배터리(고속 및 무선 충전 지원), 1200만 + 1200만 화소의 듀얼 카메라(손떨림 방지 지원), 향상된 S펜을 지원할 것으로 알려졌습니다.


참고로, 갤럭시노트8은 블랙, 블루, 골드 색상으로 출시되며, 최근 루머를 통해 전면 디스플레이내 지문인식스캐너가 아닌 후면에 가로로 배치된 듀얼카메라 옆에 지문인식스캐너가 탑재될 것임이 확인되었습니다.



출처 : SlashLeaks

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퀄컴은 28nm 공정의 보급형 모바일 프로세서인 스냅드래곤 435의 후속 모델인 스냅드래곤 450(SDM450)을 공식 발표하였습니다.




스냅드래곤 450은 14nm 공정으로 제조될 예정이며, Cortex-A53 * 8로 구성되어 현재 출시되고 있는 스냅드래곤 625 / 626 / 630과 같이 전력효율이 뛰어날 것으로 예상되고 있습니다.


또한, 스냅드래곤 435의 아드레노 505보다 25% 빨라진 600Mhz 아드레노 506 GPU를 탑재하고 있으며, 고속 충전 기술인 퀵차지 3.0(Quick Charge 3.0), USB 3.0, FullHD(1920 * 1080) 디스플레이 및 FullHD/60fps 동영상 촬영, 다운로드 최대 300Mbps인 X9 베이스 밴드 모뎀이 탑재된 것이 특징입니다.


* 스냅드래곤 450을 탑재할 스마트폰은 올해 4분기부터 본격적으로 출시될 예정입니다.



출처 : Android Central


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미디어텍과 차이나모바일은 상하이에서 열린 2017GTI 세미나를 통해 4G LTE(VoLTE) + 4G LTE(VoLTE)로 구성된 듀얼 스탠바이, 듀얼심을 Helio X30 데카코어 프로세서를 통해 구현하였습니다.




이러한 구성은 현재 스냅드래곤 820을 통해 구현한 4G LTE(VoLTE) + 3G 구성의 듀얼 스탠바이, 듀얼심보다 진보된 것으로 LTE를 사용하는 두개의 심카드를 통해 빠른 웹브라우징이나 데이터 전송뿐만이 아니라 VoLTE까지 구현한 것이 장점입니다.


* 이러한 4G LTE 듀얼 구성은 메이주가 발표할 ‘메이주 프로7 / 프로7 플러스’에 최초로 적용될 것으로 예상되고 있습니다.



출처 : MyDrivers

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